試樣的厚度

隨試樣厚度增加，介電強(qiáng)度減小。

在擊穿中，既有電擊穿，也有熱擊穿。

從熱擊穿理論來講

試樣厚度增加，散熱條件變壞，促使單位厚度的擊穿電壓降低。

從電擊穿理論講

當(dāng)試樣較薄時(shí)，電子加速時(shí)間相應(yīng)地減小，電子不易從電極上逸出，其介電強(qiáng)度也相應(yīng)增加。

升壓速度

以電擊穿為主的試樣，升壓速度的影響不大；

以熱擊穿為主的試樣，隨升壓速度提高而增大。

電極倒角r

電極與試樣接觸平面邊緣形成的半徑r的角稱為倒角。

當(dāng)電極面積變化不大時(shí)，介電強(qiáng)度變化不大；

當(dāng)電極變成半圓球狀(r很大)，介電強(qiáng)度變化較大。

邊緣效應(yīng)，靠邊緣處場強(qiáng)非常大的現(xiàn)象

由于邊緣效應(yīng)，電極邊緣間的介質(zhì)容易已被擊穿。

而邊緣處場強(qiáng)的大小與倒角r有關(guān)系；

一般r小，場強(qiáng)變大，所以，標(biāo)準(zhǔn)方法中規(guī)定r=2.5mm。

試驗(yàn)環(huán)境

多數(shù)材料在低溫下，介電強(qiáng)度與溫度無關(guān)；

當(dāng)溫度升高至某個(gè)高度，介電強(qiáng)度隨著溫度升高而下降。

濕度增加，介電強(qiáng)度也下降。

水分進(jìn)入試樣，電導(dǎo)變大之故。

試樣加工

不良的加工方法會(huì)在材料中形成缺陷

例如弱的熔接縫、氣泡流線和雜質(zhì)顆粒，都會(huì)使介電強(qiáng)度降低30~60%，降低程度隨缺陷的嚴(yán)重程度而異。